<>
Роскосмос Федеральное космическое агентство
«Роскосмос»
МАКД Международная ассоциация участников
космической деятельности
Поехали!
Микроэлектронное производство

Микроэлектронное производство представляет собой высокотехнологичный комплекс создания малогабаритных электронных устройств четвертого поколения, построенных на унифицированных конструктивах и базирующихся на современных достижениях в области:

  • твердотельной технологии системных компонентов больших и сверхбольших интегральных схем;
  • тонкопленочной технологии гибридных системных компонентов;
  • микрополосковой технологии гибридных СВЧ-системных компонентов;
  • технологии высокоинтегрированных полиимидных плат системных компонентов и гибких кабельных соединителей;
  • технологии многослойных печатных плат;
  • технологии приборного монтажа по схеме «непрерывной микросборки»;
  • технологии тонкостенного литья и пульсирующей штамповки;
  • технологии гальванопластики и блочной герметизации электронных устройств четвертого поколения ;
  • технологии обеспечения комфортных условий эксплуатации для системных устройств при воздействии механических дестабилизирующих факторов .

Освоены полупроводниковые К-МОП технологии изготовления УЭП по типу бескорпусных больших интегральных схем с числом выводов до 60 и до 5 тысяч транзисторов на кристалл:

  • с поликремниевым 5-мкм несамосовмещенным и 3-мкм самосовмещенным затвором и изоляцией элементов p-n переходами. Для аналого-цифровых УЭП используется вариант К-МОП технологии с повышенным двуполярным напряжения питания, реализацией встроенных поликремниевых высокоомных резисторов, конденсаторов и стабилитронов. Для некритичных применений освоена К-МОП технология с ЛОКОС изоляцией элементов;

 

  • Fabless- разработка специализированных аналого-цифровых БИС и интегральных датчиков;
  • разработка топологии К-МОП БИС, полупроводниковых приборов, микроэлектронных датчиков и изделий микросистемотехники на базе электрических схем и эскизов топологии, представляемых Заказчиком;
  • мелкосерийное и экспериментальное производство заказных аналого-цифровых БИС на КМОП-транзисторах ( в т.ч. в радиационостойком исполнении, работоспособных при температуре 225ОС) на подложках из кремния, КНИ и КНС диаметром до 100 мм с проектными нормами до 2,5 мкм;
  • изготовление фотошаблонов с разрешением до 2,5 мкм.
  • для изготовления и модернизации УЭП прошлых лет разработки применяется К-МОП технология с алюминиевым затвором;
  • возможно создание заказных решений на базе технологий, применяемых на предприятии при изготовлении дискретных силовых биполярных полупроводниковых приборов, Д-МОП силовых (под бортсеть) ключей, чувствительных элементов датчиков, элементов микроэлектромеханики и cпецстойких К-МОП интегральных схем типа 564-В, 1526.

Технический потенциал предприятия позволяет обеспечить организацию специального мелкосерийного воспроизводства микроэлектронных компонентов общего применения с проектными нормами до 3 мкм, производство которых в Российской Федерации прекращено или утрачено.

Проведение прецизионных низкочастотных электрических измерений вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик полупроводниковых приборов и измерений поверхностных и контактных сопротивлений фигур Вандер-Пау тонкопленочных структур на измерительном комплексе - характериографе, в том числе посредством электрического контактирования на прецизионном зондовом оборудовании»:

  • пределы воспроизведения тока (разрешение) 1,05 pA (50aA) … 105 mA (50mkA);
  • пределы измерения тока (разрешение) 1,05 pA (10aA) … 105 mA (1mkA);
  • пределы воспроизведения напряжения (разрешение) 210 mV (5mkV) … 210 V (5mV);
  • пределы измерения напряжения (разрешение) 210 mV (1mkV) … 210 v (1mV);
  • измерение импеданса на частотах 1 kGz … 10 MGz;
  • двухканальная генерация импульсов 100 mV … 40 V с разрешением до 10 nsec;
  • двухканальный 16-ти разрядный DSO осциллограф до 400 MS\sec;
  • количество контактирующих зондов на зондовом оборудовании - до 8-9 штук одновременно;
  • дискретность позиционирования контактирующего зонда до 0,1 мкм;
  • иглы у контактирующих зондов от 0,2 мкм до 5 мкм;
  • рабочая температура измерений на предметном столике – держателе пластин зондового оборудования от минус 60 до +300 градусов Цельсия. Диаметр пластины до 200 мм;
  • лазерное удаление диэлектрических слоёв и слоёв металлизации (для «подгонки», исправления ошибок, электрического контактирования);
  • микроскопический анализ и контроль.

 

 

 

Подробная информация по микроэлектронному производству:  

Начальник производства - Сорокин Сергей Валерьевич 

Тел. : +7 (499)750-40-50 доб. 13-08 

 
141074, Российская Федерация, Московская область, г. Королёв, ул. Пионерская, дом 2.
тел.: +7 (499)750-40-50 доб. 14-00; факс:+7 (495)488-96-48; +7 (495)516-50-80 e-mail: npoit@npoit.ru